1. Bingöl Üniversitesi Öğretim Üyeliğine Yükseltilme ve Atanma Kriterleri yönergesine göre düzenlenmiş EK-1'deki faaliyetler için EK-6 puan hesaplama dosyası. Dr. Öğr. Üyesi Süre uzatmaları için puan icmali eklenmiştir. Akademik Kadro İlan başvuruları için ilan numarası ve kadro derecesi eklenmiştir.  "Başvuru dilekçesi" ve "Taahhütler" otomatik olarak YAZDIRMA sayfasında oluşmaktadır. Bölgesel Kalkınma Odaklı Misyon Farklılaşması ve İhtisaslaşma kapsamında belirlenmiş olan Bölüm/Anabilim Dalı listesi eklenmiştir. İlk atanma başvurusunda 6. Madde (a) (b) ve (c)  bendlerinde taahhütler için açılır liste seçenekleri hazırlanmıştır. Ayrıca; 6 (b) kapsamında yürütücü olunan projeler "Faaliyetin Kısa Adı" sutununa otomatik gelmektedir.  6 (c) kapsamında 1, 10, 11, 12 ve 13 numaralı faaliyetler için "EK 1 Yayın Sınıfı" sutununa açılır liste seçenekleri eklenmiştir. Birim komisyon üyeleri güncellenmiştir. İlahiyat Fakültesi eklenmiştir. Chrome dışındaki tarayıcılarda dosya indirilebilmektedir. Tarayıcı Chrome ise linke sağ tıklayıp Bağlantıyı Farklı Kaydet seçeneğinden dosyanın kaydedilecek yeri belirlenir. Sonra ikondan sakla seçilmelidir.  EK-6 PUANLAMA TABLOSU... TIKLAYINIZ...

2. Eğitim-Öğretim başlangıç Yılı seçildiğinde Ekders dönemlerinin başlangıç ve bitiş tarihleri otomatik gelmektedir. Dr. Araştırma Görevlilerine haftada oniki saati aşan ders görevleri için haftada on saate kadar ek ders ücreti ödenmesi için düzenlemeler yapılmıştır. Kurum dışı görevlendirmelerde farklı Unvan girişi yapılabilmektedir. Sınavlar için veri girişleri ile Ek Ders Ücreti alınacak birimler DERSYÜKÜ sayfasına taşınmıştır. EKDERS sayfasının yazdırılması yeterlidir. Enstitülerde danışman olunan öğrencilerin isimleri DERSYÜKÜ sayfasına girilmediğinde EKDERS sayfasında yanlış "Y" olarak ortaya çıkacaktır. Enstitülerde Ekders Ücreti alacak öğretim üyeleri için Anabilim Dalı Başkanı ve Bölüm Başkanı isimleri farklı ise EKDERS formu dört imzalı hazırlanmaktadır. Diğer akademik birimler için üç imzalı olarak hazırlanmaktadır. Bölümler için açılır liste seçeneği eklenmiştir. Yeni versiyonda Zorunlu Ders Yükü kadrosunun bulunduğu Birimden otomatik düşmektedir. EKDERS sayfasında "Y" yanlışlar için açıklama bilgileri eklenmiştir.  EKDERS ÜCRET FORMU... TIKLAYINIZ

3.  Yeni Akademik Teşvik Yönetmeliğine göre hazırlanmış Akademik Teşvik Düzenleme, Denetleme ve İtiraz Komisyonu (ATDDİK) için hesaplama dosyası. Akademik Birimler ile Bölüm veya Programlar açılır listelerden seçilebilmektedir.  ATDDİK dosyası TIKLAYINIZ...

YÜKSEK LİSANS ÖĞRENCİLERİNE DUYURULUR
Yüksek Lisans Tez çalışmaları süreklilik gerektiren çalışmalar olduğundan Yüksek Lisans Tez Dönemindeki öğrencilerin Yaz Döneminde de Laboratuvar çalışmalarına katılmaları gerekmektedir.

Bingöl Üniversitesi Merkezi Laboratuvarları 08:00 ile 18:00 saatleri arasında hizmet vermektedir.

Yrd. Doç. Dr.      : 2009-2012      

Doç. Dr.                : 2012-2017                                      

Prof. Dr.              : 2017-

Yüksek Lisans

1. GÖNDÜK Mücahide, (2014). Au/n-Si/Al Schottky Diyotlarında Arayüzey Hallerinin Akım-Voltaj Karakteristiklerine Etkileri, Bingöl Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı. (Abstract)

Doktora

1. ORAK İkram, (2013). Saçtırma yöntemiyle elde edilen Co/n-GaP schottky diyotların tavlama ve numune sıcaklığına bağlı elektriksel karakterizasyonu, Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı (Ortak Danışman) (Abstract)

İngilizce (UDS) : 72.50

1. H Dogan, N Yıldırım, A Turut, M Biber, E Ayyildiz, C Nuhoglu, Determination of the characteristic parameters of Sn/n-GaAs/Al–Ge Schottky diodes by a barrier height inhomogeneity model. Semiconductor Science and Technology 21 (6), 822-828 (2006). [Full Text Online] (PDF) 
2. M Çakar, N Yıldırım, Ş Karataş, C Temirci, A Türüt, Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Sn/rhodamine-101∕ n-Si and Sn/rhodamine-101∕ p-Si Schottky barrier diodes. Journal of Applied Physics 100 (7), 074505 (2006). [Full Text Online] (PDF)
3. M Cakar, N Yıldırım, H Doğan, A Türüt, The conductance and capacitance–frequency characteristics of Au/pyronine-B/p-type Si/Al contacts. Applied Surface Science 253 (7), 3464-3468 (2007). [Full Text Online] (PDF)
4. H Doğan, H Korkut, N Yıldırım, A Turut, Prediction of lateral barrier height in identically prepared Ni/n-type GaAs Schottky barrier diodes. Applied Surface Science 253 (18), 7467-7470 (2007). [Full Text Online] (PDF)
5. ME Aydın, N Yıldırım, A Türüt, Temperature-dependent behavior of Ni/4 H-n SiC Schottky contacts. Journal of Applied Physics 102 (4), 043701 (2007). [Full Text Online] (PDF)
6. Ö Vural, N Yıldırım, Ş Altındal, A Türüt, Current–voltage characteristics of Al/Rhodamine-101/n-GaAs and Cu/Rhodamine-101/n-GaAs rectifier contacts. Synthetic Metals 157 (18), 679-683 (2007). [Full Text Online] (PDF)
7. ME Aydın, Ö Güllü, N Yıldırım, Temperature dependence of current–voltage characteristics of Sn/p-Si Schottky contacts. Physica B: Condensed Matter 403 (1), 131-138 (2008). [Full Text Online] (PDF)
8. H Doğan, N Yıldırım, A Turut, Thermally annealed Ni/n-GaAs (Si)/In Schottky barrier diodes. Microelectronic Engineering 85 (4), 655-658 (2008). [Full Text Online] (PDF)
9. N Yıldırım, H Korkut, A Türüt, Temperature-dependent Schottky barrier inhomogeneity of Ni/n-GaAs diodes. The European Physical Journal Applied Physics 45 (1), 10302 p1-p8 (2009). [Full Text Online] (PDF)
10. H Korkut, N Yıldırım, A Turut, Temperature-dependent current–voltage characteristics of Cr/n-GaAs Schottky diodes. Microelectronic Engineering 86 (1), 111-116 (2009). [Full Text Online] (PDF)
11. H Korkut, N Yıldırım, A Turut, H Dogan, Analysis of current–voltage–temperature characteristics and T0 anomaly in Cr/n-GaAs Schottky diodes fabricated by magnetron sputtering technique. Materials Science and Engineering: B 157 (1), 48-52 (2009). [Full Text Online] (PDF)
12. M Çakar, Ö Güllü, N Yıldırım, A Türüt, Electrical Properties of Organic–Inorganic Semiconductor Device Based on Rhodamine-101. Journal of Electronic Materials 38 (9), 1995-1999 (2009). [Full Text Online] (PDF)
13. K Ejderha, N Yıldırım, B Abay, A Turut, Examination by interfacial layer and inhomogeneous barrier height model of temperature-dependent I–V characteristics in Co/p-InP contacts. Journal of Alloys and Compounds 484 (1), 870-876 (2009). [Full Text Online] (PDF)
14. K Çınar, N Yıldırım, C Coşkun, A Turut, Temperature dependence of current-voltage characteristics in highly doped Ag/p-GaN/In Schottky diodes. Journal of Applied Physics 106 (7), 073717 (2009). [Full Text Online] (PDF)
15. N Yıldırım, H Dogan, H Korkut, A Turut, Dependence of characteristic diode parameters in Ni/n-GaAs contacts on thermal annealing and sample temperature. International Journal of Modern Physics B 23 (27), 5237-5249 (2009). [Full Text Online] (PDF)
16. H Korkut, N Yıldırım, A Turut, Thermal annealing effects on I–V–T characteristics of sputtered Cr/n-GaAs diodes. Physica B: Condensed Matter 404 (21), 4039-4044 (2009). [Full Text Online] (PDF)
17. N Yıldırım, A Türüt, A theoretical analysis together with experimental data of inhomogeneous Schottky barrier diodes. Microelectronic Engineering 86 (11), 2270-2274 (2009). [Full Text Online] (PDF)
18. K Ejderha, N Yıldırım, A Türüt, B Abay, Influence of interface states on the temperature dependence and current–voltage characteristics of Ni/p-InP Schottky diodes. Superlattices and Microstructures 47 (2), 241-252 (2010). [Full Text Online] (PDF)
19. N Yıldırım, A Turut, V Turut, The theoretical and experimental study on double-Gaussian distribution in inhomogeneous barrier-height Schottky contacts. Microelectronic Engineering 87 (11), 2225-2229 (2010). [Full Text Online] (PDF)
20. T Göksu, N Yıldırım, H Korkut, AF Özdemir, A Turut, A Kökçe, Barrier height temperature coefficient in ideal Ti/n-GaAs Schottky contacts. Microelectronic Engineering 87 (9), 1781-1784 (2010). [Full Text Online] (PDF)
21. N Yıldırım, K Ejderha, A Turut, On temperature-dependent experimental I-V and C-V data of Ni/n-GaN Schottky contacts. Journal of Applied Physics 108 (11), 114506 (2010). [Full Text Online] (PDF)
22. Ö Demircioglu, Ş Karataş, N Yıldırım, ÖF Bakkaloglu, A Türüt, Temperature dependent current–voltage and capacitance–voltage characteristics of chromium Schottky contacts formed by electrodeposition technique on n-type Si. Journal of Alloys and Compounds 509 (22), 6433-6439 (2011). [Full Text Online] (PDF)
23. Ö Demircioglu, Ş Karataş, N Yıldırım, ÖF Bakkaloglu, Effects of temperature on series resistance determination of electrodeposited Cr/n-Si/Au–Sb Schottky structures. Microelectronic Engineering 88 (9), 2997-3002 (2011). [Full Text Online] (PDF)
24. K Ejderha, N Yıldırım, A Türüt, B Abay, Temperature-dependent IV characteristics in thermally annealed Co/p-InP contacts. The European Physical Journal Applied Physics 57 (1), 10102 (2012). [Full Text Online] (PDF)
25. Karatas, Sukru; Yildirim, Nezir; Turut, Abdulmecit, Electrical properties and interface state energy distributions of Cr/n-Si Schottky barrier diode, Superlattices and Microstructures Volume:64, 483-494 (2013). [Full Text Online] (PDF)
26. K Ejderha, N Yıldırım, A Turut, Temperature-dependent current-voltage characteristics in thermally annealed ferromagnetic Co/n-GaN Schottky contacts. The European Physical Journal Applied Physics 68 (2), 20101 (2014). [Full Text Online] (PDF)
27. H Doğan, N Yıldırım, İ Orak, S Elagöz, A Turut, Capacitance-conductance-frequency characteristics of Au/Ni/n-GaN/undoped GaN Structures. Physica B: Condensed Matter 457, 48-53 (2015). [Full Text Online] (PDF)
28. A Turut, H Doğan, N Yıldırım, The interface state density characterization by temperature-dependent capacitance–conductance–frequency measurements in Au/Ni/n-GaN structures. Materials Research Express 2 (9), 096304 (2015). [Full Text Online] (PDF)
29. A Turut, K Ejderha, N Yıldırım, B Abay, Characteristic diode parameters in thermally annealed Ni/p-InP contacts. Journal of Semiconductors 37 (4), 044001 (2016). [Full Text Online] (PDF)
30. A Guzel, S Duman, N Yıldırım, A Turut, Electronic Transport of an Ni/n-GaAs Diode Analysed Over a Wide Temperature Range. Journal of Electronic Materials 45 (6), 2808-2814 (2016). [Full Text Online] (PDF)
31. K Ejderha, S Asubay, N Yıldırım, Ö Güllü, A Turut, B Abay, The Characteristic Diode Parameters In Ti/P-InP Contacts Prepared By DC Sputtering and Evaporation Processes Over a Wide Measurement Temperature. Surface Review and Letters 24 (4), 1750052 1-9 (2017). [Full Text Online] (PDF)

1. Dursun ÖZTÜRK, Nezir YILDIRIM, Mehmet CEBECİ, Farklı Kir ve Nem Şartları Altında İzolatör Yüzey Kaçak Akımlarının Değişiminin İncelenmesi. Tr. Doğa ve Fen Derg. − Tr. J. Nature Sci., 3 (2), 7-13, (2014). (Full Text) (PDF)
2. Nezir YILDIRIM ve Enes DURUMLU, Ag/Azure A /p-Si Schottky Diyodun Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin Araştırılması, Tr. Doğa ve Fen Derg. − Tr. J. Nature Sci., 6 (1), 1-6, (2017). (Full Text) (PDF)
3. Nezir YILDIRIM, Mücahide GÖNDÜK, İkram ORAK,  Au/n-Si Schottky Diyotlarında Termal Tavlama ve Numune Sıcaklığının Akım-Gerilim Karakteristiklerine Etkileri, Cumhuriyet University Faculty of Science Science Journal (CSJ), 38 (2), 275-285, (2017).(Full Text) (PDF)
4. Hülya DOGAN, İkram ORAK, Nezir YILDIRIM, Photovoltaic and Electrical Properties of Al/ Ruthenium (II)-complex / p-Si Photodiode,  Cumhuriyet University Faculty of Science Science Journal (CSJ), 38 (2), 329-341, (2017). (Full Text) (PDF)

1. Abdulmecit TÜRÜT, İkram ORAK, Kadir EJDERHA, Nezir YILDIRIM, Ürer M., "E-Beam Litografi ile III-V Grubu Yarıiletken Üzerine Metal Nano-Lontakların Oluşturulması", 29. TFD-Uluslararası FİZİK Kongresi, İZMİR, TÜRKİYE, 5-8 Eylül 2012 (Abstract)
2. İkram ORAK, Hülya DOĞAN, Kadir EJDERHA, Nezir YILDIRIM, Abdulmecit TÜRÜT, "Capacitance–Voltage Characteristics Of Ni/Au/N-Gan Contacts", International Semiconductor Science and Technology Conference-2014, sf113, TÜRKIYE, 13-15 Ocak-2014 (Abstract)
3. İkram ORAK, Kadir EJDERHA, Nezir YILDIRIM, Abdulkerim KARABULUT, Abdulmecit TÜRÜT, "The Electrical And Photovoltaic Effect Of Co/N-Gap Schottky Diode", International Semiconductor Science and Technology Conference-2014, sf72, TÜRKIYE, 13-15 Ocak-2014 (Abstract)
4. Yıldırım Nezir, Türüt Abdulmecit, Ejderha Kadir, Orak İkram,. (2014). Effect of thermal annealing on the electrical properties of sputtered Ni/n-GaN diodes. sf. 138, International NanoNG’2014 Conference, Elazığ-Turkey 20-22 Ağustos 2014. (Abstract)
5. Yıldırım Nezir, Göndük Mücahide, Türüt Abdulmecit, Orak İkram,. (2014). The current–voltage characteristics of Au/n-Si/Al Schottky barrier diode, sf. 149, International NanoNG’2014 Conference, Elazığ-Turkey 20-22 Ağustos 2014.  (Abstract)
6. Doğan Hülya, Orak İkram, Yıldırım Nezir. Electrical and Photovoltaic Characterization of Al Ru II p-Si Heterojunction Structures. sf. 271, 12th International Nanoscience and Nanotechnology Conference Kocaeli Turkey 03-05 June 2016.  (Abstract)
7. Türüt Abdulmecit, Yıldırım Nezir, Doğan Hülya, Characteristic diode parameters of thermally annealed Ni n GaAs Schottky contacts over a wide measurement temperature range. sf. 59, International Physics Conference at the Anatolian Peak (IPCAP 2016). Erzurum- TURKEY 25- 27 Şubat 2016. (Abstract)
8. Türüt Abdulmecit, Yıldırım Nezir, Ejderha Kadir. Effect of thermal annealing and sample temperature on electrical characteristics of Ni n GaN Schottky contacts. sf. 162, International Physics Conference at the Anatolian Peak (IPCAP 2016). Erzurum- TURKEY 25- 27 Şubat 2016. (Abstract)

1. İskender DEMİRKOL, Nezir YILDIRIM, Depremlerin Tahmin Edilmesinde Kullanılan Yöntemler Ve Bingöl Depremi. III. Bingöl Sempozyumu (17-19 Elül 2010) Sf:137 (Abstract)

2. Nezir YILDIRIM, İkram ORAK, Kadir EJDERHA, Abdulmecit TÜRÜT, Temperature dependence current voltage characteristics of Cr/n-GaN schottky diodes. BSW2013 Fourth Bozok Science Workshop: Studies on Structure and Dynamics from Nucleus to Clusters, Yozgat, May 16-18, 2013 (sf-20) (Abstract)

3. Kadir EJDERHA, Nezir YILDIRIM, İkram ORAK, Abdulmecit TÜRÜT Investigation of photvoltaic property for sputtered Al/p-Si/Al structure. BSW2013 Fourth Bozok Science Workshop: Studies on Structure and Dynamics from Nucleus to Clusters, Yozgat, May 16-18, 2013 (sf-21) (Abstract)

4. İkram ORAK, Nezir YILDIRIM, Kadir EJDERHA, Abdulmecit TÜRÜT, The comparison of electrical properties of Au/graphene/p-Si and graphene/p-Si. BSW2013 Fourth Bozok Science Workshop: Studies on Structure and Dynamics from Nucleus to Clusters, Yozgat, May 16-18, 2013 (sf-22) (Abstract)

5. Abdulmecit TÜRÜT, Nezir YILDIRIM, İkram ORAK, Kadir EJDERHA, Investigation of electrical properties CrTi/n-GaN nano structure. BSW2013 Fourth Bozok Science Workshop: Studies on Structure and Dynamics from Nucleus to Clusters, Yozgat, May 16-18, 2013 (sf-24) (Abstract)

1. TÜBİTAK 105T487 nolu  “Nanometre Kalınlıklı Reaktif Metal/III-V Yarıiletken Kontakların Potansiyel Engelinin Isıl Tavlamaya ve Numune Sıcaklığına Bağlılığı ve Bu Yapıların MESFET ve MOSFET Devre Elemanlarındaki Kullanılabilirliğinin Araştırılması” (tamamlandı). Burslu araştırmacı

2. Bingöl Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri (BÜBAP) BAP-42-63-2011 Nolu ‘Atlama Gerilimlerinin Belirlenmesi İçin Sis Odasında İzolatör Deneyleri’ (Tamamlandı) Yürütücü.

3. Atatürk Üniversitesi Araştırma Fonu 2006/51 nolu “Nanometre kalınlıklı Metal/GaAs ve InP ve GaN Kontakların karakteristik parametrelerinin termal tavlamaya ve numune sıcaklılığına bağlılığı” (tamamlandı). Araştırmacı

4. Atatürk Üniversitesi Araştırma Fonu 2008/108 nolu “Saçtırma yöntemiyle oluşturulan Ti/n-tipi GaAs Kontakların Karakteristik Parametrelerinin Termal Tavlamaya ve Numune Sıcaklığına Bağlılığının Araştırılması”  (tamamlandı). Araştırmacı

5. Bingöl Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri (BÜBAP) BAP-42-307-2015 Nolu ‘DC Magnetron Sputter Tekniği İle Silisyum Tabanlı Güneş Pili Üretimi ve Karakterizasyonu’ (tamamlandı.) Yürütücü